Datasheet NTE451 - NTE Electronics JFET, -25 V, 20 mA, TO-92-3
Part Number: NTE451
Detailed Description
Manufacturer: NTE Electronics
Description: JFET, -25 V, 20 mA, TO-92-3
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NTE451 Silicon NChannel JFET Transistor VHF/UHF Amplifier
Absolute Maximum Ratings: DrainGate Voltage, VDG .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Reverse GateSource Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V Drain Current, ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8mW/°C Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65° to +150°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Specifications:
- Breakdown Voltage Vbr: -25 V
- Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -4 V
- Power Dissipation: 350 mW
- Transistor Type: JFET
- Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 4 mA to 20 mA
