Datasheet 2N6052 (ON Semiconductor) - 2

ManufacturerON Semiconductor
Description12 A, 100 V PNP Darlington Complementary Silicon Power Transistors
Pages / Page6 / 2 — 2N6052. ELECTRICAL CHARACTERISTICS. Characteristic. Symbol. Min. Max. …
Revision5
File Format / SizePDF / 186 Kb
Document LanguageEnglish

2N6052. ELECTRICAL CHARACTERISTICS. Characteristic. Symbol. Min. Max. Unit. OFF CHARACTERISTICS. ON CHARACTERISTICS

2N6052 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Min Max Unit OFF CHARACTERISTICS ON CHARACTERISTICS

Model Line for this Datasheet

Text Version of Document

link to page 2 link to page 2 link to page 2
2N6052
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25_C unless otherwise noted) (Note 2) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 3) (I V 100 − Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ C = 100 mAdc, IB = 0) ÎÎÎÎÎ CEO(sus) ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Collector Cutoff Current (V I − 1.0 mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ CE = 50 Vdc, IB = 0) ÎÎÎÎÎ CEO ÎÎÎ ÎÎÎÎ Collector Cutoff Current I mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ CEX ÎÎÎ ÎÎÎÎ (VCE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc) − 0.5 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ (V ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ CE = Rated VCEO, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150_C) − 5.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎÎ IEBO − ÎÎÎÎ 2.0 mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
(Note 3) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Current Gain ÎÎÎÎÎ h ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ FE − (IC = 6.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 750 18,000 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ (IC = 12 Adc, VCE = 3.0 Vdc) 100 − ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Collector−Emitter Saturation Voltage VCE(sat) Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ (IC = 6.0 Adc, IB = 24 mAdc) − ÎÎÎÎ 2.0 (IC = 12 Adc, IB = 120 mAdc) − 3.0 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Base−Emitter Saturation Voltage (IC = 12 Adc, IB = 120 mAdc) VBE(sat) − 4.0 Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ Base−Emitter On Voltage (IC = 6.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) VBE(on) − 2.8 Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Magnitude of Common Emitter Small−Signal Short Circuit Forward |hfe| 4.0 − MHz ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ Current Transfer Ratio (IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) Cob − 500 pF ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ Small−Signal Current Gain (IC = 5.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 kHz) hfe 300 − − ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ 2. Indicates JEDEC Registered Data. 3. Pulse test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle = 2.0%. VCC 10 RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS -30 V 2N6052 D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg: 5.0 2N6059 1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA RC MSD6100 USED BELOW I SCOPE ts B ≈ 100 mA TUT V 2.0 2 RB approx tf (s)μ +8.0 V 1.0 D 51 1 ≈ 5.0 k ≈ 50 0 t, TIME tr V 0.5 1 approx +4.0 V VCC = 30 V -8.0 V t 25 d @ VBE(off) = 0 ms for t I d and tr, D1 is disconnected C/IB = 250 and V2 = 0 0.2 IB1 = IB2 tr, tf ≤ 10 ns TJ = 25°C DUTY CYCLE = 1.0% 0.1 0.2 0.5 1.0 3.0 5.0 10 20 For NPN test circuit reverse diode and voltage polarities. IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 2. Switching Times Test Circuit Figure 3. Switching Times http://onsemi.com 2